IGBT-транзистор SGB10N60A Infineon
- Партномер (MPN)
- SGB10N60A
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-263
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SGB10N60A
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IGBT Infineon SGB10N60A серии Fast S-IGBT на технологии NPT в корпусе TO-263. Напряжение коллектор-эмиттер 600 В, ток коллектора 20 А при 25 °C, мощность рассеяния 92 Вт. Допустимое время короткого замыкания — 10 мкс.
Напряжение насыщения 2,4 В, импульсный ток коллектора 40 А, заряд затвора 52 нКл. Диапазон температур от −55 до +150 °C.
Характеристики
- Напряжение К-Э, В
- 600
- Заряд затвора, нКл
- 52
- Ток коллектора (25 °C), А
- 20
- Мощность рассеяния, Вт
- 92
- Рабочая температура, °C
- −55…+150
- Напряжение насыщения К-Э, В
- 2,4
- Импульсный ток коллектора, А
- 40
- Время короткого замыкания, мкс
- 10
- Вес
- 1,280 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор SGB10N60A Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.