IGBT-транзистор SGL160N60UFDTU onsemi
- Партномер (MPN)
- SGL160N60UFDTU
- Производитель
- onsemi
- Корпус
- TO-264
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SGL160N60UFDTU
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
IGBT onsemi SGL160N60UFDTU серии UFD с ультрабыстрым переключением и встроенным диодом обратного восстановления (время восстановления 75 нс), корпус TO-264. Напряжение коллектор-эмиттер 600 В, ток коллектора 160 А при 25 °C и 80 А при 100 °C, импульсный ток 300 А.
Напряжение насыщения 2,1 В при токе 80 А. Мощность рассеяния 250 Вт при 25 °C и 100 Вт при 100 °C, температура от −55 до +150 °C.
Характеристики
- Напряжение К-Э, В
- 600
- Ток коллектора (25 °C), А
- 160
- Ток коллектора (100 °C), А
- 80
- Рабочая температура, °C
- −55…+150
- Мощность рассеяния (25 °C), Вт
- 250
- Импульсный ток коллектора, А
- 300
- Напряжение насыщения К-Э (80 А), В
- 2,1
- Время обратного восстановления диода, нс
- 75
- Вес
- 7,463 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор SGL160N60UFDTU onsemi». Поставка под заказ от 1 шт.