MOSFET-транзистор Si1012R-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- Si1012R-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- SOT-416
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Пассивные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры Si1012R-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
N-канальный MOSFET Vishay Siliconix Si1012R-T1-GE3 в корпусе SOT-416 (SC-75A), 1,8 В по затвору. Напряжение сток-исток 20 В, ток стока 500 мА в установившемся режиме и 600 мА за 5 с.
Сопротивление открытого канала 0,70 Ом при 4,5 В, 0,85 Ом при 2,5 В и 1,25 Ом при 1,8 В на затворе. Пороговое напряжение 0,8 В (тип.), защита затвора от ESD 2000 В, мощность рассеяния 150 мВт.
Характеристики
- Тип канала
- N
- ESD затвора, В
- 2000
- Ток стока, мА
- 500
- Rds(on) при 1,8 В, Ом
- 1,25
- Rds(on) при 2,5 В, Ом
- 0,85
- Rds(on) при 4,5 В, Ом
- 0,70
- Мощность рассеяния, мВт
- 150
- Напряжение сток-исток, В
- 20
- Пороговое напряжение (тип.), В
- 0,8
- Напряжение затвор-исток макс., В
- ±6
- Вес
- 0,170 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор Si1012R-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.