MOSFET-транзистор Si1012X-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- Si1012X-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- SC-89
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Пассивные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры Si1012X-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
N-канальный MOSFET Vishay Siliconix Si1012X-T1-GE3 в корпусе SC-89 (SOT-490) с управлением от 1,8 В. Напряжение сток-исток 20 В, ток стока 500 мА, мощность рассеяния 250 мВт.
Сопротивление открытого канала 0,70 Ом при 4,5 В, 0,85 Ом при 2,5 В, 1,25 Ом при 1,8 В. Быстродействие 10 нс, защита затвора от ESD 2000 В, температура от −55 до +150 °C.
Характеристики
- Тип канала
- N
- Ток стока, мА
- 500
- Rds(on) при 1,8 В, Ом
- 1,25
- Rds(on) при 2,5 В, Ом
- 0,85
- Rds(on) при 4,5 В, Ом
- 0,70
- Рабочая температура, °C
- −55…+150
- Мощность рассеяния, мВт
- 250
- Напряжение сток-исток, В
- 20
- Напряжение затвор-исток макс., В
- ±6
- Вес
- 0,083 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор Si1012X-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.