MOSFET-транзистор SI1902CDL-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SI1902CDL-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- SOT-363
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Пассивные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SI1902CDL-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Сдвоенный N-канальный MOSFET Vishay SI1902CDL-T1-GE3 по технологии TrenchFET в 6-выводном корпусе SC-70 (SOT-363). Напряжение сток-исток 20 В, напряжение затвор-исток ±12 В, ток стока 1,1 А.
Сопротивление открытого канала не более 0,235 Ом при 4,5 В и 0,306 Ом при 2,5 В, заряд затвора 0,9 нКл (тип.).
Характеристики
- Ток стока, А
- 1,1
- Конфигурация
- 2 × N-канал
- Rds(on) при 2,5 В, Ом
- 0,306
- Rds(on) при 4,5 В, Ом
- 0,235
- Заряд затвора (тип.), нКл
- 0,9
- Напряжение сток-исток, В
- 20
- Напряжение затвор-исток, В
- ±12
- Вес
- 0,159 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI1902CDL-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.