MOSFET-транзистор SI4840BDY-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SI4840BDY-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- SOIC-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Vishay
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SI4840BDY-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SI4840BDY-T1-GE3 — N-канальный MOSFET Vishay в корпусе SOIC-8 на 40 В с сопротивлением открытого канала 9 мОм. Ток стока 19 А, рассеиваемая мощность 2,5 Вт.
Заряд затвора 50 нКл, входная ёмкость 2000 пФ, управляется напряжением на затворе от 4,5 В, максимум ±20 В.
Характеристики
- Канал
- N
- Корпус
- SOIC-8
- Ток стока
- 19 А
- Заряд затвора
- 50 нКл
- Входная ёмкость
- 2000 пФ
- Сопротивление канала
- 9 мОм
- Рассеиваемая мощность
- 2,5 Вт
- Напряжение сток–исток
- 40 В
- Напряжение затвор–исток макс.
- ±20 В
- Вес
- 0,438 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI4840BDY-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.