MOSFET-транзистор SI9933CDY-T1-E3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SI9933CDY-T1-E3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- SOIC-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы Vishay
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SI9933CDY-T1-E3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SI9933CDY-T1-E3 — сдвоенный P-канальный MOSFET производства Vishay на напряжение сток-исток 20 В, выполненный по технологии TrenchFET, в корпусе SOIC-8. Каждый из двух транзисторов рассчитан на ток стока 4 А, сопротивление открытого канала составляет 94 мОм при напряжении затвор-исток 2,5 В.
- Рассеиваемая мощность: 3,1 Вт
- Диапазон рабочих температур: от −50 до +150 °C
- Испытания: 100 % по Rg и UIS
Характеристики
- Тип
- Сдвоенный P-канальный MOSFET
- Корпус
- SOIC-8
- Ток стока, А
- 4
- Рабочая температура, °C
- −50…+150
- Напряжение сток-исток, В
- 20
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 3,1
- Сопротивление канала при 2,5 В, мОм
- 94
- Вес
- 0,313 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI9933CDY-T1-E3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.