MOSFET-транзистор SI7232DN-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SI7232DN-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- PowerPAK 1212-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Пассивные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SI7232DN-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SI7232DN-T1-GE3 от Vishay — двойной N-канальный MOSFET в корпусе PowerPAK 1212-8. Допустимое напряжение между стоком и истоком — 20 В, ток стока при 25 °C достигает 10 А. Канал в открытом состоянии имеет сопротивление 16,4 мОм, поэтому потери проводимости невелики. Корпус рассеивает мощность до 23 Вт.
Характеристики
- Тип
- MOSFET
- Канал
- N
- Корпус
- PowerPAK 1212-8
- Ток стока при 25 °C, А
- 10
- Количество элементов
- 2
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 23
- Сопротивление канала, мОм
- 16,4
- Напряжение сток-исток макс., В
- 20
- Вес
- 0,442 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI7232DN-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.