MOSFET-транзистор SI7431DP-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SI7431DP-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- PowerPAK SO-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Пассивные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SI7431DP-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SI7431DP-T1-GE3 изготовлен Vishay: P-канальный транзистор в PowerPAK SO-8, выдерживающий −200 В сток-исток. При токе 2,2 А канал открытого транзистора имеет 174 мОм, затвор управляется 6–10 В.
На затвор допустимо подавать до 20 В, суммарный заряд затвора 135 нКл, мощность рассеяния 1,9 Вт.
Характеристики
- Корпус
- PowerPAK SO-8
- Тип канала
- P
- Ток стока, А
- 2,2
- Заряд затвора, нКл
- 135
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 1,9
- Сопротивление канала, мОм
- 174
- Напряжение сток-исток макс., В
- −200
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 20
- Вес
- 1,194 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SI7431DP-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.