Si9407BDY, корпус SOIC-8 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор Si9407BDY Vishay

Партномер (MPN)
Si9407BDY
Производитель
Vishay
Корпус
SOIC-8
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
Пассивные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры Si9407BDY

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

Vishay Si9407BDY — P-канальный транзистор на −60 В, допустимый ток 4,7 А. Открытый канал имеет 120–150 мОм, затвор управляется 4,5–10 В.

Предельное напряжение на затворе 20 В, заряд затвора 14,5 нКл, мощность рассеяния 5 Вт.

Характеристики

Тип канала
P
Ток стока, А
4,7
Заряд затвора, нКл
14,5
Рассеиваемая мощность, Вт
5
Сопротивление канала, мОм
120–150
Напряжение сток-исток макс., В
−60
Напряжение затвор-исток макс., В
20
Вес
0,963 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор Si9407BDY Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.