MOSFET-транзистор SiA427ADJ-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SiA427ADJ-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- PowerPAK SC-70-6
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Пассивные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SiA427ADJ-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SiA427ADJ-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay серии TrenchFET в корпусе PowerPAK SC-70 с шестью выводами. Максимальное напряжение сток-исток −8 В, номинальный ток стока 12 А, сопротивление открытого канала 16 мОм.
- Заряд затвора: 50 нКл
- Ёмкость затвора: 2 300 пФ
- Максимальная рабочая температура: 150 °C
Характеристики
- Тип
- P-канальный MOSFET
- Корпус
- PowerPAK SC-70-6
- Ток стока, А
- 12
- Заряд затвора, нКл
- 50
- Ёмкость затвора, пФ
- 2 300
- Напряжение сток-исток, В
- −8
- Сопротивление канала, мОм
- 16
- Макс. рабочая температура, °C
- 150
- Вес
- 0,098 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SiA427ADJ-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.