MOSFET-транзистор SiR426DP-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SiR426DP-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- PowerPAK SO-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Пассивные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SiR426DP-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SiR426DP-T1-GE3 — N-канальный MOSFET Vishay в корпусе PowerPAK SO-8 на напряжение сток-исток 40 В и ток стока 30 А. Сопротивление открытого канала составляет 10,5 мОм при напряжении затвор-исток 10 В и токе 15 А.
- Заряд затвора: 31 нКл при 10 В
- Ёмкость затвора: 1 160 пФ
- Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В
- Рассеиваемая мощность: 4,8 Вт при температуре окружающей среды, 41,7 Вт при температуре корпуса
- Рабочая температура: от −55 до +150 °C
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Корпус
- PowerPAK SO-8
- Ток стока, А
- 30
- Заряд затвора, нКл
- 31
- Ёмкость затвора, пФ
- 1 160
- Рабочая температура, °C
- −55…+150
- Напряжение сток-исток, В
- 40
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 4,8 (Ta) / 41,7 (Tc)
- Макс. напряжение затвор-исток, В
- 20
- Сопротивление канала при 10 В, мОм
- 10,5
- Вес
- 0,794 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SiR426DP-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.