MOSFET-транзистор SIRC18DP-T1-GE3 Vishay
- Партномер (MPN)
- SIRC18DP-T1-GE3
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- PowerPAK SO-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Пассивные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SIRC18DP-T1-GE3
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SIRC18DP-T1-GE3 — N-канальный MOSFET Vishay серии TrenchFET Gen IV на 30 В в корпусе PowerPAK SO-8, выполненный по технологии SkyFET с монолитным диодом Шоттки. Номинальный ток стока 60 А.
- Сопротивление открытого канала: не более 1,10 мОм при 10 В и 1,54 мОм при 4,5 В
- Типовой заряд затвора: 35 нКл
- Прямое напряжение диода Шоттки: 0,55 В при 10 А
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET с диодом Шоттки
- Корпус
- PowerPAK SO-8
- Ток стока, А
- 60
- Заряд затвора (тип.), нКл
- 35
- Напряжение сток-исток, В
- 30
- Прямое напряжение диода Шоттки, В
- 0,55 при 10 А
- Сопротивление канала при 10 В (макс.), мОм
- 1,10
- Сопротивление канала при 4,5 В (макс.), мОм
- 1,54
- Вес
- 1,070 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SIRC18DP-T1-GE3 Vishay». Поставка под заказ от 1 шт.