IGBT-транзистор SKW25N120 Infineon
- Партномер (MPN)
- SKW25N120
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-247
- Тип
- IGBT-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SKW25N120
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SKW25N120 — быстрый IGBT производства Infineon, выполненный по технологии NPT, с мягким быстрым антипараллельным диодом EmCon в корпусе TO-247. Напряжение коллектор-эмиттер 1200 В, постоянный ток коллектора 46 А при 25 °C и 25 А при 100 °C.
- Импульсный ток коллектора: 84 А
- Рассеиваемая мощность: 313 Вт при 25 °C
- Время выдерживания короткого замыкания: 10 мкс
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0,4 °C/Вт для IGBT и 1,15 °C/Вт для диода
- Рабочая температура перехода: от −55 до +150 °C
Характеристики
- Тип
- IGBT с антипараллельным диодом
- Корпус
- TO-247
- Заряд затвора, нКл
- 225
- Ток коллектора при 25 °C, А
- 46
- Ток коллектора при 100 °C, А
- 25
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 313
- Импульсный ток коллектора, А
- 84
- Напряжение затвор-эмиттер, В
- ±20
- Напряжение коллектор-эмиттер, В
- 1200
- Рабочая температура перехода, °C
- −55…+150
- Вес
- 7,940 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор SKW25N120 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.