SKW30N60HSFKSA1, корпус TO-247 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

IGBT-транзистор SKW30N60HSFKSA1 Infineon

Партномер (MPN)
SKW30N60HSFKSA1
Производитель
Infineon
Корпус
TO-247
Тип
IGBT-транзистор
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры SKW30N60HSFKSA1

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

Транзистор SKW30N60HSFKSA1 производства Infineon — IGBT на технологии NPT, трёхвыводной корпус TO-247. Допустимое напряжение коллектор-эмиттер 600 В, коллекторный ток при 25 °C — 41 А, максимальная мощность — 250 Вт.

Характеристики

Тип
IGBT
Корпус
TO-247
Заряд затвора, нКл
141
Напряжение насыщения, В
3,15
Ток коллектора при 25 °C, А
41
Рассеиваемая мощность, Вт
250
Время восстановления диода, нс
125
Напряжение коллектор-эмиттер, В
600
Вес
3,640 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-транзистор SKW30N60HSFKSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.