SMBTA06E6327HTSA1, корпус SOT-23 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор SMBTA06E6327HTSA1 Infineon

Партномер (MPN)
SMBTA06E6327HTSA1
Производитель
Infineon
Корпус
SOT-23
Тип
Биполярный транзистор
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры SMBTA06E6327HTSA1

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

SMBTA06E6327HTSA1 — кремниевый NPN-транзистор Infineon для низкочастотных схем в корпусе SOT-23, квалифицирован по AEC Q101. Допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 80 В, ток коллектора — 500 мА (импульсный — 1 А), рассеиваемая мощность — 330 мВт.

Минимальный коэффициент усиления по току — 100, граничная частота — 100 МГц, напряжение насыщения коллектор-эмиттер — 250 мВ. Комплементарный прибор — PNP SMBTA56.

Характеристики

Корпус
SOT-23
Структура
NPN
Граничная частота, МГц
100
Ток коллектора макс., мА
500
Рассеиваемая мощность, мВт
330
Напряжение насыщения К-Э, мВ
250
Коэффициент усиления по току мин.
100
Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
80
Вес
0,120 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор SMBTA06E6327HTSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.