Биполярный транзистор SMBTA56E6327HTSA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- SMBTA56E6327HTSA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- Биполярный транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SMBTA56E6327HTSA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SMBTA56E6327HTSA1 — кремниевый PNP-транзистор Infineon для низкочастотных схем, корпус SOT-23, квалификация AEC Q101. Напряжение коллектор-эмиттер — 80 В, напряжение коллектор-база — 80 В, напряжение эмиттер-база — 4 В.
Постоянный ток коллектора — 500 мА, рассеиваемая мощность — 330 мВт, температура перехода — 150 °C. Минимальный коэффициент усиления по току — 100. Комплементарный NPN-прибор — SMBTA06.
Характеристики
- Корпус
- SOT-23
- Структура
- PNP
- Ток коллектора макс., мА
- 500
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 330
- Температура перехода макс., °C
- 150
- Напряжение эмиттер-база макс., В
- 4
- Коэффициент усиления по току мин.
- 100
- Напряжение коллектор-база макс., В
- 80
- Напряжение коллектор-эмиттер макс., В
- 80
- Вес
- 0,069 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор SMBTA56E6327HTSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.