SPA20N60C3, корпус TO-220FP (типовой вид) — Изображение корпуса типовое

Полевой транзистор (MOSFET) SPA20N60C3 Infineon

Партномер (MPN): SPA20N60C3
Производитель: Infineon
Корпус: TO-220FP
Тип: Полевой транзистор (MOSFET)
Категория: Активные компоненты
Наличие: под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить цену и срок

Поставка под заказ, срок 4–7 недель
Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
Доставка по России транспортными компаниями
Входной контроль и условия возврата

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

N-канальный силовой MOSFET Infineon SPA20N60C3 в изолированном корпусе TO-220FP. Рассчитан на напряжение между стоком и истоком до 600 В; ток стока при 25 °C равен 20,7 А.

Канал в открытом состоянии имеет сопротивление 190 мОм при управляющем напряжении на затворе 10 В. Для перезарядки затвора требуется заряд 87 нКл. Допустимая мощность потерь — 34,5 Вт. Подходит для ключевых каскадов, работающих от высоковольтных шин до 600 В.

Характеристики

Тип: N-канальный MOSFET
Корпус: TO-220FP
Заряд затвора, нКл: 87
Ток стока при 25 °C, А: 20,7
Напряжение затвора, В: 10
Рассеиваемая мощность, Вт: 34,5
Сопротивление канала, мОм: 190
Напряжение сток-исток макс., В: 600
Вес: 1,890 г

Работали с этой позицией? Оставьте отзыв

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Полевой транзистор (MOSFET) SPA20N60C3 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.