MOSFET-транзистор SPD30P06P Infineon
- Партномер (MPN)
- SPD30P06P
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TO-252
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры SPD30P06P
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
SPD30P06P — P-канальный MOSFET Infineon серии SIPMOS в корпусе TO-252, режим обогащения. Напряжение сток–исток −60 В, ток стока −30 А при 25 °C (−21,5 А при 100 °C), сопротивление открытого канала 75 мОм. Рассеиваемая мощность 125 Вт, заряд затвора 48 нКл, рабочая температура от −55 до +175 °C.
Характеристики
- Корпус
- TO-252
- Тип канала
- P
- Заряд затвора
- 48 нКл
- Ток стока (25 °C)
- −30 А
- Рабочая температура
- −55…+175 °C
- Рассеиваемая мощность
- 125 Вт
- Напряжение сток–исток
- −60 В
- Напряжение затвор–исток макс.
- ±20 В
- Сопротивление открытого канала
- 75 мОм
- Вес
- 0,704 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор SPD30P06P Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.