STD2NK100Z, корпус TO-252 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор STD2NK100Z STMicroelectronics

Партномер (MPN)
STD2NK100Z
Производитель
STMicroelectronics
Корпус
TO-252
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы STMicroelectronics
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры STD2NK100Z

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

STD2NK100Z — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics на 1000 В в корпусе TO-252 (DPAK). Сопротивление открытого канала 8.5 Ом при напряжении на затворе 10 В, ток стока при 25 °C — 1.85 А, рассеиваемая мощность 70 Вт. Допустимое напряжение затвор–исток 30 В. Высоковольтный транзистор с небольшим током для ключевых схем.

Характеристики

Тип
N-канальный MOSFET
Корпус
TO-252 (DPAK)
Rси(вкл), Ом
8.5 (при 10 В)
Ток стока при 25 °C, А
1.85
Напряжение сток–исток, В
1000
Рассеиваемая мощность, Вт
70
Напряжение затвора макс., В
30
Вес
0,455 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор STD2NK100Z STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.