STD18N55M5, корпус TO-252 (типовой вид) — Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор STD18N55M5 STMicroelectronics

Партномер (MPN): STD18N55M5
Производитель: STMicroelectronics
Корпус: TO-252
Тип: MOSFET-транзистор
Категория: MOSFET и силовые транзисторы STMicroelectronics
Наличие: под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить цену и срок

Поставка под заказ, срок 4–7 недель
Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
Доставка по России транспортными компаниями
Входной контроль и условия возврата

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

STD18N55M5 — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics семейства MDmesh V (технология MDmesh M5) в корпусе DPAK (TO-252). Напряжение сток-исток 550 В, ток стока 16 А, типовое сопротивление открытого канала 0,150 Ом, максимальное — 0,192 Ом.

Вертикальная структура MDmesh M5 сочетается с горизонтальной топологией PowerMESH, что даёт очень низкое сопротивление канала. Рассеиваемая мощность 110 Вт, заряд затвора 31 нКл, максимальное напряжение затвор-исток ±25 В; стопроцентная проверка на лавинный пробой.

Характеристики

Корпус: TO-252 (DPAK)
Тип канала: N
Ток стока, А: 16
Заряд затвора, нКл: 31
Напряжение сток-исток, В: 550
Рассеиваемая мощность, Вт: 110
Сопротивление канала макс., Ом: 0,192
Напряжение затвор-исток макс., В: ±25
Сопротивление канала типовое, Ом: 0,150
Вес: 0,900 г

Работали с этой позицией? Оставьте отзыв

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор STD18N55M5 STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.