MOSFET-транзистор STD10NM60N STMicroelectronics
- Партномер (MPN)
- STD10NM60N
- Производитель
- STMicroelectronics
- Корпус
- TO-252
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы STMicroelectronics
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры STD10NM60N
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Std10nm60n (STD10NM60N) — N-канальный силовой MOSFET семейства MDmesh II производства STMicroelectronics в корпусе DPAK (TO-252). Напряжение сток-исток 600 В, ток стока 10 А, типовое сопротивление открытого канала 0,53 Ом, максимальное — 0,55 Ом.
- Рассеиваемая мощность 70 Вт
- Максимальное напряжение затвор-исток ±25 В, заряд затвора 19 нКл, входная ёмкость 540 пФ
- Стопроцентная проверка на лавинный пробой, низкое сопротивление затвора
Характеристики
- Корпус
- TO-252 (DPAK)
- Тип канала
- N
- Ток стока, А
- 10
- Заряд затвора, нКл
- 19
- Входная ёмкость, пФ
- 540
- Напряжение сток-исток, В
- 600
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 70
- Сопротивление канала макс., Ом
- 0,55
- Напряжение затвор-исток макс., В
- ±25
- Сопротивление канала типовое, Ом
- 0,53
- Вес
- 0,600 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор STD10NM60N STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.