STB34NM60N, корпус TO-263 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор STB34NM60N STMicroelectronics

Партномер (MPN)
STB34NM60N
Производитель
STMicroelectronics
Корпус
TO-263
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы STMicroelectronics
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры STB34NM60N

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

STB34NM60N — N-канальный силовой MOSFET семейства MDmesh II производства STMicroelectronics в корпусе D²PAK (TO-263) для поверхностного монтажа. Рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и ток стока 29 А.

Особенности по даташиту: вертикальная структура с полосковой топологией даёт низкое сопротивление открытого канала и малый заряд затвора, низкая входная ёмкость и низкое сопротивление затвора, каждый прибор проходит стопроцентную проверку на лавинный пробой. Максимальное напряжение затвор-исток ±25 В.

Характеристики

Корпус
TO-263 (D²PAK)
Тип канала
N
Ток стока при 25 °C, А
29
Напряжение сток-исток, В
600
Напряжение затвор-исток макс., В
±25
Вес
4,376 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор STB34NM60N STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.