STB10NK60ZT4, корпус TO-263 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор STB10NK60ZT4 STMicroelectronics

Партномер (MPN)
STB10NK60ZT4
Производитель
STMicroelectronics
Корпус
TO-263
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы STMicroelectronics
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры STB10NK60ZT4

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

STMicroelectronics STB10NK60ZT4 — N-канальный MOSFET серии SuperMESH в корпусе D²PAK (TO-263) с защитой затвора стабилитронами. Напряжение сток-исток 600 В, ток стока 10 А, сопротивление открытого канала 0,65 Ом типовое и не более 0,75 Ом. Рассеиваемая мощность 115 Вт, заряд затвора 70 нКл, 100 % транзисторов проверены на лавинный пробой.

Характеристики

Корпус
TO-263
Ток стока
10 А
Структура
N-канал
Заряд затвора
70 нКл
Входная ёмкость
1370 пФ
Рассеиваемая мощность
115 Вт
Сопротивление канала макс.
0,75 Ом
Напряжение сток-исток макс.
600 В
Напряжение затвор-исток макс.
±30 В
Сопротивление канала типовое
0,65 Ом
Вес
3,608 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор STB10NK60ZT4 STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.