BD139, корпус TO-126 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор BD139 STMicroelectronics

Партномер (MPN)
BD139
Производитель
STMicroelectronics
Корпус
TO-126
Тип
Биполярный транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы STMicroelectronics
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры BD139

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

BD139 — биполярный NPN-транзистор STMicroelectronics в корпусе TO-126. Напряжение коллектор-эмиттер до 80 В, ток коллектора 1,5 А, рассеиваемая мощность 12,5 Вт, коэффициент усиления по току от 40 до 250.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 мВ. Комплементарная PNP-пара — BD140, что позволяет строить двухтактные выходные каскады на паре BD139/BD140.

Характеристики

Корпус
TO-126
Структура
NPN
Мощность, Вт
12,5
Ток коллектора, А
1,5
Комплементарная пара
BD140
Напряжение К-Э макс., В
80
Коэффициент усиления h21E
40–250
Напряжение насыщения К-Э, мВ
500
Вес
0,079 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор BD139 STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.