MOSFET-транзистор STB28NM50N STMicroelectronics
- Партномер (MPN)
- STB28NM50N
- Производитель
- STMicroelectronics
- Корпус
- TO-263
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы STMicroelectronics
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры STB28NM50N
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
STB28NM50N — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics семейства MDmesh II (второе поколение технологии MDmesh) в корпусе D²PAK (TO-263). Напряжение сток-исток 500 В, ток стока 21 А, типовое сопротивление открытого канала 135 мОм при 10 В на затворе, максимальное — 158 мОм.
- Рассеиваемая мощность 150 Вт, максимальное напряжение затвор-исток ±25 В
- Входная ёмкость 1735 пФ
- Стопроцентный контроль на лавинный пробой, низкое сопротивление затвора
Характеристики
- Корпус
- TO-263 (D²PAK)
- Тип канала
- N
- Входная ёмкость, пФ
- 1735
- Ток стока при 25 °C, А
- 21
- Напряжение сток-исток, В
- 500
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 150
- Сопротивление канала макс., мОм
- 158
- Напряжение затвор-исток макс., В
- ±25
- Сопротивление канала типовое, мОм
- 135
- Вес
- 2,639 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор STB28NM50N STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.