STP18N65M5, корпус TO-220 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

MOSFET-транзистор STP18N65M5 STMicroelectronics

Партномер (MPN)
STP18N65M5
Производитель
STMicroelectronics
Корпус
TO-220
Тип
MOSFET-транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы STMicroelectronics
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры STP18N65M5

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

STP18N65M5 — N-канальный силовой MOSFET серии MDmesh V производства STMicroelectronics в корпусе TO-220. Максимальное напряжение сток-исток — 650 В, номинальный ток стока при 25 °C — 15 А, типичное сопротивление открытого канала — 0,198 Ом.

Рассеиваемая мощность — 110 Вт, заряд затвора — 31 нКл, входная ёмкость — 1240 пФ. Номинальное напряжение управления затвором — 10 В, предельное — 25 В.

Характеристики

Корпус
TO-220
Тип канала
N
Заряд затвора, нКл
31
Входная ёмкость, пФ
1240
Ток стока при 25 °C, А
15
Мощность рассеяния, Вт
110
Напряжение сток-исток макс., В
650
Напряжение затвор-исток макс., В
25
Сопротивление канала типовое, Ом
0,198
Вес
1,647 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор STP18N65M5 STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.