MOSFET-транзистор STP23NM50N STMicroelectronics
- Партномер (MPN)
- STP23NM50N
- Производитель
- STMicroelectronics
- Корпус
- TO-220
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- MOSFET и силовые транзисторы STMicroelectronics
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры STP23NM50N
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
STP23NM50N — силовой N-канальный полевой транзистор STMicroelectronics в выводном корпусе TO-220. Предельное напряжение между стоком и истоком составляет 500 В, постоянный ток стока при 25 °C — 17 А. При 10 В на затворе канал имеет сопротивление 190 мОм.
Мощность рассеяния — 125 Вт, суммарный заряд затвора — 45 нКл, напряжение на затворе допускается до 25 В.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Корпус
- TO-220
- Заряд затвора, нКл
- 45
- Ток стока при 25 °C, А
- 17
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 125
- Напряжение затвора макс., В
- 25
- Напряжение сток-исток макс., В
- 500
- Сопротивление открытого канала, мОм
- 190 (при 10 В)
- Вес
- 1,852 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор STP23NM50N STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.