TIP127, корпус TO-220 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор TIP127 STMicroelectronics

Партномер (MPN)
TIP127
Производитель
STMicroelectronics
Корпус
TO-220
Тип
Биполярный транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры TIP127

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

TIP127 — кремниевый p-n-p транзистор Дарлингтона STMicroelectronics с эпитаксиальной базой в корпусе TO-220, комплементарен TIP122. Предельные напряжения коллектор-база и коллектор-эмиттер 100 В, ток коллектора 5 А, импульсный 8 А, ток базы 0,1 А.

Мощность рассеяния 65 Вт при температуре корпуса 25 °C, тепловое сопротивление переход-корпус 1,92 °C/Вт, переход-среда 62,5 °C/Вт.

Характеристики

Корпус
TO-220
Структура
p-n-p, Дарлингтон
Ток базы, А
0,1
Ток коллектора, А
5
Комплементарная пара
TIP122
Рассеиваемая мощность, Вт
65
Импульсный ток коллектора, А
8
Напряжение коллектор-эмиттер, В
100
Тепловое сопротивление переход-корпус, °C/Вт
1,92
Вес
0,321 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор TIP127 STMicroelectronics». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.