MOSFET-транзистор ZXMS6004DN8-13 DIODES
- Партномер (MPN)
- ZXMS6004DN8-13
- Производитель
- DIODES
- Корпус
- SOIC-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры ZXMS6004DN8-13
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
ZXMS6004DN8-13 — сдвоенный самозащищённый N-канальный MOSFET Diodes Incorporated серии IntelliFET для коммутации нагрузки на стороне земли, в корпусе SO-8. Напряжение сток–исток 60 В, номинальный ток нагрузки 1,3 А при управляющем напряжении 5 В, энергия ограничения 120 мДж.
- логический вход, совместимый с уровнями 3,3 и 5 В;
- защита от перегрева и короткого замыкания с автоматическим перезапуском, от перенапряжения (активное ограничение), от перегрузки по току;
- защита входа от электростатического разряда.
Характеристики
- Корпус
- SOIC-8
- Каналов
- 2
- Уровни управления, В
- 3,3 и 5
- Энергия ограничения, мДж
- 120
- Напряжение сток–исток, В
- 60
- Ток нагрузки номинальный, А
- 1,3 (при 5 В)
- Вес
- 0,700 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор ZXMS6004DN8-13 DIODES». Поставка под заказ от 1 шт.