Биполярный транзистор ZXTP2012ZTA DIODES
- Партномер (MPN)
- ZXTP2012ZTA
- Производитель
- DIODES
- Корпус
- SOT-89
- Тип
- Биполярный транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры ZXTP2012ZTA
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
ZXTP2012ZTA — PNP-транзистор Diodes Incorporated с низким напряжением насыщения в корпусе SOT-89. Напряжение коллектор–эмиттер свыше 60 В, непрерывный ток коллектора 4,3 А. Напряжение насыщения менее 65 мВ при токе 1 А, эквивалентное сопротивление в открытом состоянии 32 мОм.
Коэффициент усиления нормируется до тока 10 А, граничная частота 120 МГц. Комплементарный NPN-транзистор — ZXTN2010Z.
Характеристики
- Корпус
- SOT-89
- Структура
- PNP
- Ток коллектора, А
- 4,3
- Граничная частота, МГц
- 120
- Напряжение насыщения, мВ
- менее 65 (при 1 А)
- Сопротивление насыщения, мОм
- 32
- Напряжение коллектор–эмиттер, В
- более 60
- Вес
- 0,300 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор ZXTP2012ZTA DIODES». Поставка под заказ от 1 шт.