BC850B, корпус SOT-23 (типовой вид) — Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор BC850B NXP

Партномер (MPN): BC850B
Производитель: NXP
Корпус: SOT-23
Тип: Биполярный транзистор
Категория: MOSFET и силовые транзисторы NXP
Наличие: под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить цену и срок

Поставка под заказ, срок 4–7 недель
Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
Доставка по России транспортными компаниями
Входной контроль и условия возврата

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

BC850B — маломощный кремниевый NPN-транзистор NXP в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Группа усиления B означает коэффициент передачи тока от 200 до 450.

напряжение коллектор–эмиттер до 45 В;
ток коллектора до 100 мА;
рассеиваемая мощность 250 мВт;
граничная частота 100 МГц;
коэффициент шума 4 дБ.

Обычный выбор для усилительных и ключевых каскадов малой мощности в слаботочной аппаратуре. Указанный коэффициент шума говорит о том, что транзистор подходит и для входных каскадов усилителей слабых сигналов, где важен собственный шум элемента.

Характеристики

Корпус: SOT-23
Структура: NPN
Коэффициент шума, дБ: 4
Граничная частота, МГц: 100
Ток коллектора макс., мА: 100
Рассеиваемая мощность, мВт: 250
Коэффициент усиления по току h21э: 200...450
Напряжение коллектор–эмиттер макс., В: 45
Вес: 0,015 г

Работали с этой позицией? Оставьте отзыв

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор BC850B NXP». Поставка под заказ от 1 шт.