BC850BW, корпус SOT-323 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор BC850BW NXP

Партномер (MPN)
BC850BW
Производитель
NXP
Корпус
SOT-323
Тип
Биполярный транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы NXP
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры BC850BW

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

BC850BW — малосигнальный NPN-транзистор NXP в корпусе SOT-323 с тремя выводами. Напряжение коллектор–эмиттер — 45 В, ток коллектора — 100 мА, рассеиваемая мощность — 200 мВт.

Коэффициент усиления по току лежит в пределах от 200 до 450, граничная частота — 100 МГц, нормируется коэффициент шума — 4 дБ.

Характеристики

Тип
Биполярный транзистор NPN
Корпус
SOT-323
Ток коллектора, мА
100
Коэффициент шума, дБ
4
Граничная частота, МГц
100
Напряжение К–Э макс., В
45
Рассеиваемая мощность, мВт
200
Коэффициент усиления h21E мин.
200
Коэффициент усиления h21E макс.
450
Вес
0,032 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор BC850BW NXP». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.