BC856B, корпус SOT-23 (типовой вид)
Изображение корпуса типовое

Биполярный транзистор BC856B NXP

Партномер (MPN)
BC856B
Производитель
NXP
Корпус
SOT-23
Тип
Биполярный транзистор
Категория
MOSFET и силовые транзисторы NXP
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры BC856B

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

BC856B — PNP-транзистор NXP (Nexperia) в корпусе SOT-23 (TO-236AB), квалифицирован по AEC-Q101. Напряжение коллектор–эмиттер — 65 В, коллектор–база — 80 В, эмиттер–база — 5 В, ток коллектора — 100 мА.

Рассеиваемая мощность — 250 мВт, граничная частота — 100 МГц, напряжение насыщения К–Э — 250 мВ. Коэффициент усиления при 2 мА и 5 В — от 220 до 475, рабочие температуры — от −65 до +150 °C.

Характеристики

Тип
Биполярный транзистор PNP
Корпус
SOT-23 (TO-236AB)
Ток коллектора, мА
100
Граничная частота, МГц
100
Напряжение К–Б макс., В
80
Напряжение К–Э макс., В
65
Напряжение Э–Б макс., В
5
Рабочая температура, °C
−65…+150
Коэффициент усиления h21E
220–475 (2 мА, 5 В)
Рассеиваемая мощность, мВт
250
Напряжение насыщения К–Э, мВ
250
Вес
0,016 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Биполярный транзистор BC856B NXP». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.