MOSFET-транзистор BSP322P Infineon
- Партномер (MPN)
- BSP322P
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOT-223
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSP322P
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSP322P — P-канальный MOSFET Infineon серии SIPMOS, корпус SOT-223, исполнение по стандарту AEC-Q101. Предельное напряжение между стоком и истоком составляет −100 В, ток стока при 25 °C — 1 А, а сопротивление открытого канала не превышает 800 мОм.
Затвор управляется напряжением 4,5…10 В; типовой заряд затвора — 12,4 нКл. Транзистор рассеивает до 1,8 Вт и работает при температуре от −55 до +150 °C.
Характеристики
- Корпус
- SOT-223
- Структура
- P-канальный
- Заряд затвора, нКл
- 12,4
- Ток стока при 25 °C, А
- 1
- Напряжение затвора, В
- 4,5…10
- Мощность рассеяния, Вт
- 1,8
- Рабочая температура, °C
- −55…+150
- Напряжение сток-исток, В
- −100
- Сопротивление канала макс., мОм
- 800
- Вес
- 0,273 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSP322P Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.