MOSFET-транзистор BSP317PH6327XTSA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSP317PH6327XTSA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOT-223
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSP317PH6327XTSA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSP317PH6327XTSA1 — P-канальный маломощный MOSFET серии SIPMOS производства Infineon в корпусе SOT-223 с логическим уровнем управления. Напряжение сток-исток -250 В, ток стока 430 мА при 25 °C, сопротивление открытого канала 4 Ом. Рассеиваемая мощность 1,8 Вт, заряд затвора 15,1 нКл, входная ёмкость 262 пФ, максимальное напряжение затвора 20 В.
Характеристики
- Корпус
- SOT-223
- Полярность
- P-канал
- Заряд затвора, нКл
- 15,1
- Входная ёмкость, пФ
- 262
- Ток стока при 25 °C, мА
- 430
- Напряжение сток-исток, В
- -250
- Сопротивление канала, Ом
- 4
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 1,8
- Напряжение затвора макс., В
- 20
- Вес
- 2,666 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSP317PH6327XTSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.