MOSFET-транзистор BSP129H6327XTSA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSP129H6327XTSA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOT-223
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSP129H6327XTSA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Infineon BSP129H6327XTSA1 — N-канальный MOSFET обеднённого типа (depletion mode) в корпусе SOT-223. Напряжение сток-исток — 240 В, ток стока — 350 мА, сопротивление открытого канала — 6 Ом, рассеиваемая мощность — 1,8 Вт. Транзистор относится к линейке N-канальных обеднённых MOSFET на напряжения от 60 до 600 В.
- Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В
- Входная ёмкость затвора: 108 пФ
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET, режим обеднения
- Корпус
- SOT-223
- Ток стока, мА
- 350
- Ёмкость затвора, пФ
- 108
- Сопротивление канала, Ом
- 6
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 1,8
- Напряжение сток-исток макс., В
- 240
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 20
- Вес
- 0,321 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSP129H6327XTSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.