MOSFET-транзистор BSN20-7 DIODES
- Партномер (MPN)
- BSN20-7
- Производитель
- DIODES
- Корпус
- SOT-23
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSN20-7
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSN20-7 от DIODES — N-канальный МОП-транзистор обогащённого типа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 50 В, ток стока 500 мА при 25 °C, рассеиваемая мощность 600 мВт. Сопротивление открытого канала не более 1,8 Ом при напряжении затвора 10 В и 2 Ом при 4,5 В, пороговое напряжение до 1,5 В, заряд затвора 0,8 нКл.
Характеристики
- Канал
- N
- Корпус
- SOT-23
- Ток стока
- 500 мА
- Заряд затвора
- 0,8 нКл
- Rds(on) при 10 В макс.
- 1,8 Ом
- Rds(on) при 4,5 В макс.
- 2 Ом
- Напряжение сток-исток
- 50 В
- Рассеиваемая мощность
- 600 мВт
- Пороговое напряжение макс.
- 1,5 В
- Напряжение затвор-исток макс.
- 20 В
- Вес
- 0,072 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSN20-7 DIODES». Поставка под заказ от 1 шт.