MOSFET-транзистор BSP149H6327XTSA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSP149H6327XTSA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOT-223
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSP149H6327XTSA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSP149H6327XTSA1 — N-канальный MOSFET Infineon, работающий в режиме обеднения, в корпусе SOT-223. Допустимое напряжение сток-исток — 200 В, ток стока — 660 мА, сопротивление открытого канала — 1,8 Ом.
- Заряд затвора: 14 нКл, ёмкость затвора: 430 пФ
- Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В
- Рассеиваемая мощность: 1,8 Вт
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET, режим обеднения
- Корпус
- SOT-223
- Ток стока, мА
- 660
- Заряд затвора, нКл
- 14
- Ёмкость затвора, пФ
- 430
- Сопротивление канала, Ом
- 1,8
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 1,8
- Напряжение сток-исток макс., В
- 200
- Напряжение затвор-исток макс., В
- 20
- Вес
- 0,407 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSP149H6327XTSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.