IGBT-модуль BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSM50GD120DN2BOSA1
- Производитель
- Infineon
- Тип
- IGBT-модуль
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSM50GD120DN2BOSA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Трёхфазный мостовой IGBT-модуль BSM50GD120DN2BOSA1 производства Infineon: в корпусе EconoPACK собраны шесть IGBT-ключей, внутренняя схема обозначена как GD. Напряжение коллектор-эмиттер 1200 В, ток коллектора 72 А при 25 °C, напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2,5 В, рассеиваемая мощность 350 Вт, ток утечки 200 нА.
Характеристики
- Корпус
- EconoPACK
- Конфигурация
- 3-фазный мост, 6 ключей
- Ток утечки, нА
- 200
- Напряжение насыщения, В
- 2,5
- Ток коллектора при 25 °C, А
- 72
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 350
- Напряжение коллектор-эмиттер, В
- 1200
- Вес
- 117,300 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-модуль BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.