MOSFET-транзистор BSO150N03MDGXUMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSO150N03MDGXUMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOIC-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSO150N03MDGXUMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
Infineon BSO150N03MDGXUMA1 — сдвоенный N-канальный MOSFET серии OptiMOS 3 M-Series на 30 В в корпусе SOIC-8. Ток стока при 25 °C — 9,3 А, сопротивление открытого канала — 15 мОм (до 18,2 мОм максимум), заряд затвора — 12,6 нКл. Номинальное напряжение управления затвором — 4,5–10 В.
Характеристики
- Тип
- Сдвоенный N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS 3 M-Series
- Корпус
- SOIC-8
- Заряд затвора, нКл
- 12,6
- Ток стока при 25 °C, А
- 9,3
- Напряжение затвора, В
- 4,5–10
- Сопротивление канала, мОм
- 15–18,2
- Напряжение сток-исток макс., В
- 30
- Вес
- 0,458 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSO150N03MDGXUMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.