IGBT-модуль BSM50GD120DN2 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSM50GD120DN2
- Производитель
- Infineon
- Тип
- IGBT-модуль
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSM50GD120DN2
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSM50GD120DN2 — силовой IGBT-модуль Infineon в корпусе EconoPACK 2 с шестью ключами, соединёнными по трёхфазной мостовой схеме (обозначение GD). Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2 кВ, рабочий ток при 25 °C — 72 А, рассеиваемая мощность — 350 Вт.
В обозначении модуля фигурирует номинал 50 А; поколение — IGBT 2 Low Power.
Характеристики
- Тип
- IGBT-модуль
- Схема
- Трёхфазный мост (6 ключей)
- Корпус
- EconoPACK 2
- Ток коллектора при 25 °C, А
- 72
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 350
- Напряжение коллектор-эмиттер, В
- 1200
- Вес
- 79,400 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «IGBT-модуль BSM50GD120DN2 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.