MOSFET-транзистор BSD223PH6327 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSD223PH6327
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- SOT-363
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSD223PH6327
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSD223PH6327 — малосигнальная сборка Infineon из двух P-канальных MOSFET серии OptiMOS-P в шестивыводном корпусе SOT-363. Напряжение сток-исток — 20 В, ток стока — 390 мА, сопротивление открытого канала — 1,2 Ом, рассеиваемая мощность — 250 мВт.
Транзистор рассчитан на управление логическим уровнем 2,5 В, выдерживает лавинный режим и квалифицирован по AEC-Q101.
Характеристики
- Тип
- Сдвоенный P-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS-P
- Корпус
- SOT-363
- Ток стока, мА
- 390
- Квалификация
- AEC-Q101
- Сопротивление канала, Ом
- 1,2
- Рассеиваемая мощность, мВт
- 250
- Напряжение сток-исток макс., В
- 20
- Вес
- 0,045 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSD223PH6327 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.