MOSFET-транзистор BSC320N20NS3G Infineon
- Партномер (MPN)
- BSC320N20NS3G
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSC320N20NS3G
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSC320N20NS3G — N-канальный силовой MOSFET Infineon из семейства OptiMOS 3 на 200 В в корпусе PG-TDSON-8. Сопротивление открытого канала составляет 32 мОм, постоянный ток стока — 36 А, рассеиваемая мощность — 125 Вт.
Транзистор рассчитан на высокочастотное переключение и синхронное выпрямление. Диапазон температуры перехода от −55 до +150 °C. Пороговое напряжение затвора около 4 В при токе 90 мкА, заряд затвора 29 нКл при управлении 10 В, предельное напряжение затвор-исток ±20 В — всё это указывает на силовые ключи преобразователей.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Ток стока (25 °C), А
- 36
- Заряд затвора, нКл
- 29
- Напряжение сток-исток, В
- 200
- Рассеиваемая мощность, Вт
- 125
- Напряжение затвор-исток макс., В
- ±20
- Сопротивление открытого канала, мОм
- 32
- Вес
- 1,840 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSC320N20NS3G Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.