BSC120N03LS G
Изображение корпуса типовое

MOSFET транзистор BSC120N03LS G Infineon

Партномер (MPN)
BSC120N03LS G
Производитель
Infineon
Тип
MOSFET транзистор
Категория
Активные компоненты
Наличие
под заказ, срок 4–7 недель

Цена по запросу

Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.

Запросить даташит и параметры BSC120N03LS G

Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.

Описание

Infineon BSC120N03LS G — силовой MOSFET с N-каналом. Допускает напряжение между стоком и истоком до 30 В; номинальный ток стока при 25 °C равен 39 А.

Канал в открытом состоянии имеет сопротивление 12–16,5 мОм при управляющем напряжении 4,5–10 В. Суммарный заряд затвора — 5,4 нКл, мощность рассеяния — 28 Вт.

Характеристики

Полярность
N-канал
Заряд затвора
5,4 нКл
Ток стока (25 °C)
39 А
Напряжение затвора
4,5–10 В
Сопротивление канала
12–16,5 мОм
Рассеиваемая мощность
28 Вт
Напряжение сток-исток макс.
30 В
Вес
0,635 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Отзыв появится после проверки модератором.

Запросить цену и срок поставки

Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET транзистор BSC120N03LS G Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности.