MOSFET-транзистор BSC120N03LSGATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSC120N03LSGATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TDSON-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSC120N03LSGATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSC120N03LSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET Infineon семейства OptiMOS 3 на 30 В в корпусе TDSON-8 для поверхностного монтажа. Сопротивление открытого канала 12 мОм при напряжении на затворе 10 В.
Ток стока до 39 А при 25 °C. Номинальное напряжение управления затвором лежит в диапазоне 4,5–10 В, то есть транзистор открывается от логических уровней.
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS 3
- Корпус
- TDSON-8
- Ток стока при 25 °C
- 39 А
- Напряжение затвора
- 4,5–10 В
- Напряжение сток–исток
- 30 В
- Сопротивление канала (10 В)
- 12 мОм
- Вес
- 0,510 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSC120N03LSGATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.