MOSFET-транзистор BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSC030P03NS3GAUMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSC030P03NS3GAUMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSC030P03NS3GAUMA1 — P-канальный MOSFET Infineon на напряжение сток-исток -30 В в компактном корпусе PG-TDSON-8 для поверхностного монтажа. Сопротивление открытого канала около 3 мОм.
Затвор рассчитан на напряжение до 25 В, рассеиваемая мощность 2,5 Вт. Низкое сопротивление канала снижает потери в ключах на стороне плюса питания.
Характеристики
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Монтаж
- SMD
- Полярность
- P-канал
- Мощность рассеяния
- 2,5 Вт
- Сопротивление канала
- 3 мОм
- Напряжение сток-исток
- -30 В
- Напряжение затвор-исток макс.
- 25 В
- Вес
- 0,635 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.