Силовой MOSFET BSC020N03MSGATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSC020N03MSGATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип
- Силовой MOSFET
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSC020N03MSGATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSC020N03MSGATMA1 от Infineon — N-канальный силовой MOSFET семейства OptiMOS 3 M-Series в корпусе PG-TDSON-8 с напряжением сток–исток 30 В. Сопротивление открытого канала не превышает 2,5 мОм, заряд затвора 93 нКл.
Затвор управляется напряжением в диапазоне 4,5–10 В, транзистор рассчитан на низкое напряжение стока и применяется как силовой ключ.
Характеристики
- Серия
- OptiMOS 3 M-Series
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип канала
- N
- Заряд затвора, нКл
- 93
- Напряжение затвора, В
- 4,5–10
- Напряжение сток–исток макс., В
- 30
- Сопротивление канала макс., мОм
- 2,5
- Вес
- 0,975 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «Силовой MOSFET BSC020N03MSGATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.