MOSFET-транзистор BSC021N08NS5ATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSC021N08NS5ATMA1
- Производитель
- Infineon
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSC021N08NS5ATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSC021N08NS5ATMA1 от Infineon — N-канальный MOSFET семейства OptiMOS 5 на 80 В в корпусе SuperSO8. Сопротивление открытого канала не превышает 2,1 мОм, ток стока составляет 100 А, рассеиваемая мощность 214 Вт.
- Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
- Входная ёмкость: 8600 пФ
- Время включения 13 нс, выключения 44 нс
- Рабочая температура от −55 до 175 °C
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS 5
- Корпус
- SuperSO8
- Ток стока, А
- 100
- Rds(on) макс., мОм
- 2,1
- Входная ёмкость, пФ
- 8600
- Мощность рассеяния, Вт
- 214
- Рабочая температура, °C
- −55…175
- Напряжение сток-исток, В
- 80
- Напряжение затвор-исток макс., В
- ±20
- Вес
- 2,340 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSC021N08NS5ATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.