MOSFET-транзистор BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon
- Партномер (MPN)
- BSC026NE2LS5ATMA1
- Производитель
- Infineon
- Корпус
- TDSON-8
- Тип
- MOSFET-транзистор
- Категория
- Активные компоненты
- Наличие
- под заказ, срок 4–7 недель
Цена по запросу
Добавьте позицию в корзину или запросите цену – ответим в течение 24 часов.
- Поставка под заказ, срок 4–7 недель
- Оплата по счёту, НДС 22%, УПД
- Доставка по России транспортными компаниями
- Входной контроль и условия возврата
Запросить даташит и параметры BSC026NE2LS5ATMA1
Нет в наличии или снят с производства? Подобрать аналог или запросить дефицитную позицию.
Описание
BSC026NE2LS5ATMA1 — N-канальный полевой транзистор Infineon из линейки OptiMOS 5 в корпусе TDSON-8. Максимальное напряжение сток-исток — 25 В, сопротивление открытого канала лежит в пределах от 2,6 до 4 мОм в зависимости от напряжения на затворе.
- Управление затвором: номинальные напряжения 4,5–10 В
- Заряд затвора: 12 нКл
- Конфигурация: один N-канальный транзистор
Характеристики
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Серия
- OptiMOS 5
- Корпус
- TDSON-8
- Заряд затвора, нКл
- 12
- Напряжение затвора, В
- 4,5–10
- Сопротивление канала, мОм
- 2,6–4
- Напряжение сток-исток макс., В
- 25
- Вес
- 1,450 г
Работали с этой позицией? Оставьте отзыв
Запросить цену и срок поставки
Ответим в течение 24 часов: цена, наличие и срок по позиции «MOSFET-транзистор BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon». Поставка под заказ от 1 шт.